大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头谢谢谬赞经典回复，过誉和谬赞的区别(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报谢谢谬赞经典回复，过誉和谬赞的区别显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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