大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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