大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采许昌学院是一本还是二本分数线，许昌学院是一本还是二本院校购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶许昌学院是一本还是二本分数线，许昌学院是一本还是二本院校圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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