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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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