大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查公交车被C这才几天没做水，s货你是不是欠c了公交车站(chá)的(de)结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安公交车被C这才几天没做水，s货你是不是欠c了公交车站全法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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