大(dà)家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　维他奶出了什么问题，维他奶出了什么下架　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn维他奶出了什么问题，维他奶出了什么下架)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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