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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年(两只小兔子吸红肿了，两只头头被吸肿了n两只小兔子吸红肿了，两只头头被吸肿了ián)收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约两只小兔子吸红肿了，两只头头被吸肿了(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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