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　　美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办无丝竹之乱耳的之是什么用法，无丝竹之乱耳的之是什么词性公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　无丝竹之乱耳的之是什么用法，无丝竹之乱耳的之是什么词性A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)无丝竹之乱耳的之是什么用法，无丝竹之乱耳的之是什么词性约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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