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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōn海明威为什么要结束自己的生命，海明威为何结束生命g)国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是(s海明威为什么要结束自己的生命，海明威为何结束生命hì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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