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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。一个人去巴基斯坦安全吗，中国人去巴基斯坦安全不strong>为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场一个人去巴基斯坦安全吗，中国人去巴基斯坦安全不收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。