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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(10公斤滚筒洗衣机尺寸长宽高，一般洗衣机的尺寸是多少厘米fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士10公斤滚筒洗衣机尺寸长宽高，一般洗衣机的尺寸是多少厘米(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商10公斤滚筒洗衣机尺寸长宽高，一般洗衣机的尺寸是多少厘米(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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