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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基kono洗发水是什么牌子，kono洗发水有几款础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wkono洗发水是什么牌子，kono洗发水有几款ǎng)信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1kono洗发水是什么牌子，kono洗发水有几款Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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