大家(jiā)好(hǎo)，来(lái)看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)刚结婚是不是会天天做ight: 24px;'>刚结婚是不是会天天做此，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ刚结婚是不是会天天做)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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