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　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiācampus是什么意思 campus是国誉吗ng)波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限(xcampus是什么意思 campus是国誉吗iàn)制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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