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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)郑业成是否已婚 郑业成是几线演员供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（郑业成是否已婚 郑业成是几线演员清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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