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齿轮计算公式汇总,齿轮全齿高计算公式 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

  据齿轮计算公式汇总,齿轮全齿高计算公式网信(xìn)办消息,日前,网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

  审(shěn)查发现,美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险,影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此,网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规,我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查,目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全,是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng),只(zhǐ)要(yào)遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日(rì),中国网(wǎng)信网发(fā)文称,为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán),防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn),维护(hù)国(guó)家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降,至少已经(jīng)不是主要大供应商。

  公告(gào)显示(shì), 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示,江波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约,确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性,巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势,公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制,或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催(cuī)生(shēn齿轮计算公式汇总,齿轮全齿高计算公式g)更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露(lù),薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单,设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升,以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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