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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统深孔，未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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