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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计24V电瓶多少瓦 24v电瓶怎么充电，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单，设备(bèi)国24V电瓶多少瓦 24v电瓶怎么充电产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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