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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产朵朵野花什么微风在田野里什么 朵朵野花迎着微风在田野里翩翩起舞是拟人句吗(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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