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却的部首叫什么名称拼音,卩是什么偏旁怎么念 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发消息。

  却的部首叫什么名称拼音,卩是什么偏旁怎么念ng>美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

  据网信办消(xiāo)息,日(rì)前,网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患,对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规,我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán),是维护国(guó却的部首叫什么名称拼音,卩是什么偏旁怎么念)家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对(duì)外开放,只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求,欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

  半(bàn)导体突(tū)发!中(zhōng)国出(chū)手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称,为保障关键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险,维(wéi)护国家(jiā)安全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》,网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手:停止采购!

  美(měi)光(guāng)是(shì)美(měi)国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头,也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57%降(jiàng)至2022年(nián)约11%。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司却的部首叫什么名称拼音,卩是什么偏旁怎么念(sī)中,江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降,至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

  公(gōng)告显示, 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应(yīng)优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制(zhì),或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽,催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露(lù),薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān),设备国产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(jì)(薄(báo)膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长。

 

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