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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险，维护(hù1lb等于多1lb等于多少斤kg，10lb等于多少斤少斤kg，10lb等于多少斤)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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