大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂脱离了低级趣味那句原话怎么说的纪念白求恩，低级趣味是什么意思(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析脱离了低级趣味那句原话怎么说的纪念白求恩，低级趣味是什么意思，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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