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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查硅酸铝针刺毯两公分厚是多长的 硅酸铝针刺毯有害吗 style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>硅酸铝针刺毯两公分厚是多长的 硅酸铝针刺毯有害吗(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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