大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办荔枝比喻女人哪个部位，荔枝形容女人法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(荔枝比喻女人哪个部位，荔枝形容女人zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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