大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产迪丽热巴男朋友，迪丽热巴全名(chǎn)品未通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lón迪丽热巴男朋友，迪丽热巴全名g)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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