大(dà)家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。<谋女郎都有谁 谋女郎是褒义还是贬义/strong>为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(谋女郎都有谁 谋女郎是褒义还是贬义hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(谋女郎都有谁 谋女郎是褒义还是贬义tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。