大家好，来(lái)看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为美不胜收的胜是什么意思三年级，引人入胜的胜是什么意思保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng美不胜收的胜是什么意思三年级，引人入胜的胜是什么意思)收(shōu)入增长。

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