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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(qu见字如晤,展信舒颜，展信安的用法án)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长见字如晤,展信舒颜，展信安的用法江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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