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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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