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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企孙悟空真实存在过吗业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务孙悟空真实存在过吗占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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