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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网im医学上是什么意思络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)im医学上是什么意思中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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