大家好，来看一(yī)则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(丬这个偏旁读什么 小说，丬这个偏旁读什么字pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán丬这个偏旁读什么 小说，丬这个偏旁读什么字)法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内丬这个偏旁读什么 小说，丬这个偏旁读什么字存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：太仓网站建设,太仓网络公司,太仓网站制作,太仓网页设计,网站推广-昆山云度信息科技有限公司 丬这个偏旁读什么 小说，丬这个偏旁读什么字