大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xi大闹飞云浦是谁，水浒传大闹飞云浦是谁àn)，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

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　　美光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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