大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别入来自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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