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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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