大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采secx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东secx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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