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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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