大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美1h等于多长时间怎么算，1h等于多少时间光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(pià1h等于多长时间怎么算，1h等于多少时间n)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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