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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法对美(měi)匚字旁的字有哪些，区字旁的字光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中(zhō匚字旁的字有哪些，区字旁的字ng)国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已匚字旁的字有哪些，区字旁的字经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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