大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信(xì新冠密接人员需要隔离多少天最新政策，新冠密接人员要隔离多久n)息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zh新冠密接人员需要隔离多少天最新政策，新冠密接人员要隔离多久àn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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