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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn900g是几斤 900g是多少毫升)进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)900g是几斤 900g是多少毫升，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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