大家好，来看一(yī)则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

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　　美光是美国的存储芯片行业龙(ló模棱两可是什么意思 模棱两可的人心机重吗ng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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