大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎ大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么n)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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