大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)发胶必须当天洗吗，发胶怎么洗掉际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采(发胶必须当天洗吗，发胶怎么洗掉cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng发胶必须当天洗吗，发胶怎么洗掉)的供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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