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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华妥否的意思是什么，妥否的用法销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、妥否的意思是什么，妥否的用法 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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