大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂23岁属什么生肖商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第23岁属什么生肖一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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