大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施农村信用社几点上班下班时间网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉农村信用社几点上班下班时间长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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