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正方形的棱长是什么意思,正方形的棱长是什么什么叫棱长 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一(yī)则突发(fā)消息。

  美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)

  据网信办消息,日前(qián),网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全(quán)审查(chá)。

  审查发现(xiàn),美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患,对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规,我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

  此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全,是维(wéi)护国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放,只要(yào)遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

  半导体突发(fā)!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日(rì),中国网(wǎng)信网发文称(chēng),为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险,维(wéi)护(hù)国家安全,依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全正方形的棱长是什么意思,正方形的棱长是什么什么叫棱长法》,网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停(tíng)止采购!

  美(měi)光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头,也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一,2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中,江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng),正方形的棱长是什么意思,正方形的棱长是什么什么叫棱长至少已经不是主要大供应商。

  公告(gào)显(xiǎn)示, 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商,采购(gòu)约(yuē)31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约,确保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势,公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券(quàn)商此前就分析(xī),如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制,或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分(fēn)析(xī)称(chēng),长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽,催(cuī)生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露,薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国产化(huà)进程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(薄(báo)膜沉积)等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上(shàng)海(清洗)等收入(rù)增(zēng)长。

 

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