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杨梅是高糖还是低糖,杨梅是高糖还是低糖水果 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患,对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安(ān)全风险,影响我国(guó)国家安全(quán)。为此,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī),我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

  此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查,目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危杨梅是高糖还是低糖,杨梅是高糖还是低糖水果害国家关键信息基础设(shè)施安全,是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文(wén)称,为保障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安(ān)全,防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安(ān)全法》,网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu),也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子(zi)、杨梅是高糖还是低糖,杨梅是高糖还是低糖水果 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降,至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固(gù)公司在下游市场的供应优势,公(gōng)司也(yě)与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析,如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制,或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì),国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分(fēn)析(xī)称,长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽,催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露(lù),薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国(guó)限制名单,设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速,看好拓荆科技(jì)(薄(báo)膜沉积)等相关公司(sī)份额提升,以(yǐ)及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等(děng)收(shōu)入增长。

 

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