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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 D昆明市属于几线城市，云南最好三个城市RAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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